在了解5V单片机驱（qū）动mos管电路之前，先了解一下（xià）单片机驱（qū）动mos管电路图及原理，单片机驱动mos管（guǎn）电路主要（yào）根据MOS管要驱（qū）动什（shí）么东西，要只是一个继电器之（zhī）类的小负载的话直（zhí）接用51的引（yǐn）脚（jiǎo）驱动就可（kě）以，要注意电感类（lèi）负（fù）载要（yào）加保（bǎo）护二（èr）极管和吸收缓冲，最好用N沟道（dào）的MOS。

如果驱动的东西(功率)很大，(大电流、大（dà）电压的场合（hé）)，最好要做电气隔离、过流超压保护（hù）、温度保护等……此时既要隔离（lí）传送控制信号(例如PWM信号)，也要给驱动级(MOS管的推动电路)传送电能。常用的（de）信号传送有（yǒu）PC923 PC929 6N137 TL521等至于（yú）电能的传（chuán）送可以用（yòng）DC-DC模（mó）块。如果是做产品的话建议自（zì）己搞一（yī）个建议的DC-DC，这样可以降低成本。然后（hòu）MOS管（guǎn）有一种简单（dān）的（de）驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个用于（yú）MOS开启驱动，一个用于MOS快速（sù）关（guān）断。
图（tú）一：适（shì）合开关频率不高（gāo）的场合，一般（bān）低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小由V+决定，V+越（yuè）高，R2、R3越大，以保（bǎo）证电阻（zǔ）及（jí）三极管功耗在允许（xǔ）范围，同时保证R2和R3的分（fèn）压VPP=V+ 减10V，同时（shí）V+不能大（dà）于（yú）40V。

补充（chōng）：图二：适合（hé）高频大功（gōng）率场合，到达100KHz没问题（tí），同时可以并联多（duō）个MOSFET-P管

R2、R3需（xū）要满足和图一一样的条件，其实就是图一加了（le）级推挽，这样就可以保证MOSFET管高速开（kāi）关，上面6P小电容是发（fā）射结结电容补偿（cháng）电容，可（kě）以改善三极管高（gāo）速开关特性（xìng）。

另外：MOSFET的（de）栅极（jí）电容较大，在使用的时候应该把它当成一个容抗负载来看。

MOS管驱（qū）动（dòng）电路

在使（shǐ）用（yòng）MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会（huì）考虑MOS的（de）导通电阻，最大（dà）电压等，最大电流等，也（yě）有很多（duō）人仅仅考虑这些因素。这样的（de）电（diàn）路也许是可以工作的，但（dàn）并不是优秀的，作（zuò）为正式的产品设计也是不允许的。

MOS管导通特性

导通的意思是（shì）作为开关，相当（dāng）于开关闭合。

NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导通（tōng），适合用于源极接（jiē）地（dì）时的情况(低端驱动)，只（zhī）要栅（shān）极电压（yā）达到4V或10V就（jiù）可以了。PMOS的特性：Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱（qū）动（dòng）)。但是（shì），虽然PMOS可以很方便（biàn）地（dì）用作高端驱动（dòng），但由于导通电阻（zǔ）大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱（qū）动中，通（tōng）常还是使用（yòng）NMOS。

MOS开关（guān）管（guǎn）损（sǔn）失（shī）

MOS管驱动电路不管是NMOS还（hái）是PMOS，导通后（hòu）都有导通电阻存（cún）在，这样电流就会在（zài）这个（gè）电（diàn）阻上消耗能量，这部分消耗（hào）的能量叫做导通损（sǔn）耗。选择导通电阻小（xiǎo）的MOS管（guǎn）会减小导通损耗。现（xiàn）在的小功率MOS管（guǎn）导通电阻（zǔ）一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时（shí）候，一定不是在瞬间完成的（de）。MOS两端的（de）电压（yā）有（yǒu）一个下降的过程，流（liú）过的电（diàn）流有一个上升的过（guò）程，在这段时间内，MOS管的损失（shī）是（shì）电压和电流的乘积（jī），叫做开关损失。通常开关（guān）损失比导通损失（shī）大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导（dǎo）通瞬（shùn）间电压和电流的乘积很大，造成的（de）损失也就（jiù）很大。缩短（duǎn）开关时间，可以减小每次导通（tōng）时的损失;降低开关（guān）频率，可以减小单位时间内（nèi）的开（kāi）关次数。这（zhè）两种办法都可以减小（xiǎo）开（kāi）关损（sǔn）失。

MOS管驱动

跟双极（jí）性晶（jīng）体管相比，一般（bān）认（rèn）为使MOS管导通不需要电（diàn）流，只要GS电压高（gāo）于一定（dìng）的值，就（jiù）可以了。这个很容易做到，但是（shì），我们还需要（yào）速度（dù）。在（zài）MOS管的结构中（zhōng）可以（yǐ）看到，在GS，GD之间（jiān）存在（zài）寄生（shēng）电（diàn）容，而（ér）MOS管的驱动，实际上（shàng）就是对电容的充放（fàng）电。对电容的（de）充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以（yǐ）把（bǎ）电（diàn）容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设（shè）计MOS管驱动时第一要（yào）注意的是可提供瞬间（jiān）短路电流的大小（xiǎo）。

MOS管驱动电路第二注意（yì）的是，普遍用于高端驱（qū）动的NMOS，导通时需要是栅（shān）极电压大于（yú）源（yuán）极电压。而高端（duān）驱（qū）动（dòng）的（de）MOS管导通时源（yuán）极电压与漏（lòu）极电（diàn）压(VCC)相（xiàng）同，所（suǒ）以（yǐ）这时（shí）栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在（zài）同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升（shēng）压电路了。很多（duō）马达（dá）驱动（dòng）器都（dōu）集成了电荷（hé）泵，要注意的是应该 选择合（hé）适（shì）的外接电容（róng），以（yǐ）得（dé）到足够的短路（lù）电流去驱（qū）动MOS管。

上边（biān）说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而（ér）且（qiě）电压（yā）越高（gāo），导通速度越快（kuài），导通电阻也（yě）越小。现（xiàn）在也有导通电压更小的MOS管用（yòng）在（zài）不同的领域里（lǐ），但（dàn）在12V汽车电子系统里（lǐ），一般（bān）4V导（dǎo）通就够用了。MOS管的（de）驱动电路及其损失，可以（yǐ）参考Microchip公司的（de）AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很（hěn）详细，所以不打（dǎ）算多写了。

MOS管应用电路

MOS管最（zuì）显著的特性是开关特性（xìng）好，所以被（bèi）广泛应用在需要电子开关的电（diàn）路中，常（cháng）见的如开关（guān）电源和马达驱动（dòng），也（yě）有照（zhào）明调（diào）光。

二、现在的MOS驱动，有几（jǐ）个特别的应用：

1、低压应（yīng）用当使用5V电（diàn）源，由于三（sān）极管的be有（yǒu）0.7V左（zuǒ）右的压降，导致实际（jì）最终加（jiā）在gate上（shàng）的（de）电压只有4.3V。这时（shí）候，我们选用（yòng）标称gate电压4.5V的MOS管（guǎn）就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电（diàn）源的场合。

2、宽电压（yā）应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而（ér）变动。这个变动导致（zhì）PWM电路提供给MOS管的（de）驱动电（diàn）压是不稳定的。为（wéi）了让MOS管在高gate电压下（xià）安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制（zhì）gate电压的幅值。在这种情（qíng）况下，当提供（gòng）的（de）驱动电压超过稳（wěn）压管的（de）电压（yā），就会引起较大的静态（tài）功耗（hào）。同（tóng）时，如果简单（dān）的用（yòng）电阻（zǔ）分压的原理降低（dī）gate电压，就（jiù）会出现（xiàn）输入电压比（bǐ）较（jiào）高的时（shí）候，MOS管（guǎn）工作良（liáng）好，而输（shū）入（rù）电压降低的时候gate电压不（bú）足（zú），引（yǐn）起导通不够（gòu）彻底，从而增加功耗（hào）。

3、双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典（diǎn）型的（de）5V或（huò）者（zhě）3.3V数字电压（yā），而功率部分使用12V甚至更高的电压。两（liǎng）个电压采用共地（dì）方式连接（jiē）。MOS管驱动电路。这就提出一个要求，需（xū）要使用一个电路（lù），让低（dī）压侧（cè）能够有效的（de）控制高压侧的MOS管，同（tóng）时高压侧的MOS管也同样（yàng）会（huì）面对（duì）1和2中提（tí）到的问题（tí）。