您好!欢迎进入保(bǎo)定市云开和禾邦电子有限公(gōng)司网站--"云开和禾邦电子元器件"进行电(diàn)子元件选型!营(yíng)业时间上午(wǔ)8:00-12:00,下午13:30-18:00 周日休息
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>> 可控硅(guī) 晶(jīng)闸管 IGBT


※详细介绍
1.电流参数:IGBT管(guǎn)最大集电极电流=50A IGBT管最大(dà)峰值(zhí)电(diàn)流=90A
2.电压(yā)参数:ICBT场效应晶体(tǐ)管的集电极-发射极电压VCES=1200V 控制(zhì)极-发射极阈值电压VGES=±20V
3.功率:耗散功率(lǜ)PD=312W
4.封装:TO-3PN
2.电压(yā)参数:ICBT场效应晶体(tǐ)管的集电极-发射极电压VCES=1200V 控制(zhì)极-发射极阈值电压VGES=±20V
3.功率:耗散功率(lǜ)PD=312W
4.封装:TO-3PN
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